我們的優(yōu)勢｜NRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)

NANO-MASTER NRE-4000 型RIE-HCP系統(tǒng)，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統(tǒng)可以支持RIE和RIE-HCP 應(yīng)用，提供廣泛的應(yīng)用。

眾多的優(yōu)勢配置，使得NRE-4000 型系統(tǒng)具有許多優(yōu)勢：

? 超高的薄膜均勻性

? 良好的粘附力

? 超凈的沉積（高真空支持）

? 出色的工藝控制

? 高度的可重復(fù)性（計(jì)算機(jī)全自動(dòng)工藝控制）

? 易使用（可直接調(diào)用編好的工藝程序）

? 運(yùn)行可靠（所有核心組件均帶有保護(hù)）

? 低維護(hù)（完整的安全互鎖）

? 高、低溫基片樣品臺(tái)

? 小的占地面積26”x44”

? 全自動(dòng)工藝控制

01. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 HCP源

NANO-MASTER HCP 源為雙腔室淋浴頭平面離子源，均勻氣流分布、高離子密度（可達(dá)10¹¹量級(jí)）、低等離子溫度、低等離子勢能、低腔體占空比，使該系統(tǒng)具有等離子分布均勻、生長速率高、薄膜損傷低、Cycle時(shí)間快、薄膜純度高的優(yōu)勢。無石英視窗腐蝕問題。反應(yīng)氣體如O₂、N₂、H₂和氟基氣體從等離子源上方引入。下游 HCP 等離子源為中空陰極類型，可獨(dú)立控制實(shí)現(xiàn)高離子密度，同時(shí)通過獨(dú)立的等離子源電源實(shí)現(xiàn)樣品臺(tái)的低能量控制，實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕。

02.產(chǎn)品優(yōu)勢之 刻蝕工藝

通過我們的工藝和設(shè)備設(shè)計(jì)，通過不同的等離子源的控制方案，可以組合支持三種刻蝕模式，即RIE*各向異性刻蝕、HCP各向同性刻蝕，以及HCP和RIE的高密度各向同性刻蝕。因此系統(tǒng)可以用于圖形刻蝕、去膠、清洗、表面活化、表面改性、深孔清洗等多種應(yīng)用。

通過氟基氣體的使用，系統(tǒng)在RIE模式下進(jìn)行刻蝕，SiO₂的刻蝕速率大約在30nm/min。增加HCP后以RIE-HCP模式進(jìn)行刻蝕，刻蝕速率可以高達(dá)100nm/min左右。

03. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 腔體設(shè)計(jì)

NANO-MASTER采用緊湊型優(yōu)化設(shè)計(jì)的22”陽極氧化鋁，帶氣動(dòng)升降頂蓋的腔體設(shè)計(jì)，通過計(jì)算機(jī)一鍵實(shí)現(xiàn)頂蓋的開啟和閉合，便于樣片的放入取出以及腔體的維護(hù)，并且避免機(jī)械摩擦造成的腔門磨損問題。

氣體通過無繞曲設(shè)計(jì)的不銹鋼管路通過HCP 源進(jìn)入腔體。超凈的陽極氧化鋁腔體可以兼容百級(jí)超凈間使用。觀察視窗位于下腔體，可實(shí)時(shí)觀察腔體內(nèi)的等離子情況。

04. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 樣品臺(tái)

NRE-4000帶RF 的偏壓樣品臺(tái)，用于產(chǎn)生高電壓的自偏壓。樣品臺(tái)可支持大尺寸基片的刻蝕（我們可以提供1.5m直徑的大尺寸基片刻蝕）。

對(duì)于430mm直徑的樣片，我們配套17”的陽極氧化鋁樣品臺(tái)，對(duì)氟基氣體以及其它常規(guī)氣體惰性，可以直接放置基片到樣品臺(tái)，而無需片托。樣品臺(tái)為電隔離的水冷設(shè)計(jì)，工藝期間不會(huì)出現(xiàn)RF隨冷卻劑泄露而導(dǎo)致功率衰減的問題，確保刻蝕工藝的穩(wěn)定性。在去邊5mm的情況下達(dá)到優(yōu)于+/-5%的刻蝕均勻性。

如果選配Auto L/UL，樣品臺(tái)可升級(jí)為帶頂針升降機(jī)制的樣品臺(tái)，可從預(yù)真空臂自動(dòng)傳輸樣片。

05. 產(chǎn)品優(yōu)勢之真空系統(tǒng)（分子泵已選配）

NANO-MASTER 普法HiPace700 型抗腐蝕渦輪分子泵，超低維護(hù)率，160 ISO-K 接口，抽速可達(dá)680L/Sec。串接普法2021C1型機(jī)械泵，帶Fombline泵油，可支持氟基氣體和氧氣等活性氣體使用。采用真空直連設(shè)計(jì)，分子泵和腔體之間具有優(yōu)異的真空傳導(dǎo)率。系統(tǒng)可以在 8小時(shí)內(nèi)達(dá)到極限真空（5x10^-7Torr），20 分鐘可達(dá)到10^-6Torr 量級(jí)的高工藝真空。系統(tǒng)通過計(jì)算機(jī)直接控制渦輪分子泵的渦輪速度，可以實(shí)現(xiàn)工藝腔體下游壓力的全自動(dòng)調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。

雙真空計(jì)配置，Baratron真空計(jì)用于工藝壓力的實(shí)時(shí)監(jiān)測，另外Inficon冷離子真空計(jì)用于本底真空測量，真空讀數(shù)實(shí)時(shí)顯示在監(jiān)控屏幕上，通過圖表和數(shù)字兩種方式可以查看實(shí)時(shí)真空和真空趨勢曲線。

06. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 氣流分布

淋浴頭氣流分布，三個(gè)獨(dú)立的氣體管路跟淋浴頭相連無繞曲的氣體管路設(shè)計(jì)。

五路氣體包含SF₆，CF₄，CHF₃，O₂和Ar，每路氣體包含柜體內(nèi)的不銹鋼氣體管路、氣動(dòng)截止閥和MFC質(zhì)量流量控制器，通過計(jì)算機(jī)可以實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)精確的流量控制。氣體管路通過VCR和VCO連接，氣體管路采用N2氣體吹掃。其中CF4和O2可以用于腔體的等離子自動(dòng)清洗。

07. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 等離子源電源

系統(tǒng)配套兩套NANO-MASTER等離子源電源，跟NANO-MASTER系統(tǒng)具有優(yōu)異的結(jié)合性能。兩套電源均為1KW的功率，13.56MHz頻率，均配套自動(dòng)調(diào)諧器。其中一套電源配套自動(dòng)調(diào)諧器用于樣品臺(tái)偏壓，可實(shí)現(xiàn)RIE刻蝕。第二套電源帶自動(dòng)調(diào)諧器用于HCP等離子源，用于產(chǎn)生高密度等離子。兩套電源可獨(dú)立控制，實(shí)現(xiàn)等離子密度和等離子能量的分開控制。支持多種模式的刻蝕。

08. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 控制系統(tǒng)

系統(tǒng)通過Labview軟件和20”觸屏監(jiān)控屏幕提供友好的操作界面，通過計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)的工藝控制，使得該RIE-HCP系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。*的安全互鎖，四級(jí)密碼授權(quán)訪問保護(hù)，包含:操作者（運(yùn)行菜單）、工程師（獨(dú)立控制子系統(tǒng)及菜單開發(fā)）、工藝工程師(編寫程序)、維護(hù)，菜單驅(qū)動(dòng)。真空、氣流、分子泵速度、偏壓、閥門狀態(tài)等各工藝參數(shù)實(shí)時(shí)顯示。

Engineering Mode界面

系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝程序，每一個(gè)工藝可以支持1-100個(gè)工藝步驟。

在工藝工程師模式下，用戶可以根據(jù)自己的需要編輯多步驟的程序，每個(gè)步驟均可設(shè)定各個(gè)氣體的使用/停用，以及流量大小，可以分別設(shè)置兩個(gè)等離子源電源的各自功率以及啟用/關(guān)閉狀態(tài)，可分別使用單獨(dú)使用，也可以同時(shí)使用。此外，可以設(shè)定工藝的目標(biāo)壓力以及是否啟用調(diào)節(jié)。

Service Mode界面

用戶可以在維護(hù)模式下，對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行手動(dòng)模式的調(diào)試，可以用于開發(fā)工藝程序。其中任意一個(gè)參數(shù)均可獨(dú)立調(diào)節(jié)。系統(tǒng)提供兩種模式調(diào)節(jié)腔體的工藝真空：設(shè)定目標(biāo)壓力，或者設(shè)定分子泵的目標(biāo)轉(zhuǎn)速。

整個(gè)系統(tǒng)只需要按照字段輸入想要調(diào)試的內(nèi)容值即可，具備簡便的操作。

09. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 系統(tǒng)設(shè)計(jì)

系統(tǒng)提供緊湊型的設(shè)計(jì)，占地面積緊湊，性能出色，控制先進(jìn)，全面的安全保障。先進(jìn)的設(shè)計(jì)，確保了系統(tǒng)緊湊的同時(shí)維持了高品質(zhì)的性能。對(duì)于NRE-4000 型系統(tǒng)，左側(cè)為氣路和真空相關(guān)的配置，右側(cè)為控制和儀表的配置。

10. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 案例

以下為我們的RIE系統(tǒng)（不帶HCP）的對(duì)硅和銦鎵砷的刻蝕案例。

Si的RIE刻蝕

InGaAs的RIE刻蝕

11. 產(chǎn)品優(yōu)勢之 客戶列表

Air Force, OH

Peking University,Beijing, China

Beijing Institute of Technology, Beijing, China

Nanjing University, Nanjing, China

Jilin Jianzhu University, Jilin, China

NREL, Golden, CO

Anhui Normal University, Wuhu, Anhui China

HKPC, Hong Kong

Dalian University of Technology，Dalian，China

Motorola, Austin, TX

IBM, Yorktown, Hts., NY

Shenzhen advanced technology research institute，Shenzhen，China

Tanner Research, Pasadena, CA

Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS，Xi’an，China

Advance Material Research Center SIRIM Bhd, Malaysia

Jiangsu University, Zhenjiang, China

GE Global Research, Niskayuna, NY

Shanghai institute of silicate technology，Shanghai，China

SITAR, Bangalore, India

Baoji University, Shaanxi, China

Wuhan Academy of Agricultural Sciences, Hubei, China

3M, St Paul, MN

IMRE, Singapore

Sichuan University, Chengdu, China

Xi’an 771 Institute, Xi’an, China

ARACA, Tucson, AZ

ST Microelectronics, Carrolton, TX

CRS, Hong Kong, China

NASA, Hampton, VA

nanoCoolers, Austin, TX

Shanghai Jiaotong University, Shanghai, China

South China University of Technology，Guangzhou，China

TOTAL, Palaiseau Cedex, France

Universidad Pais Vasco, Leioa, Spain

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